IBM密度大、速度快的32nm内存芯片
2009-09-22小烈MCPLive.cn
持续创新才是硬道理，蓝色巨人IBM日前研制出世界上体积小、密度大、速度快的基于32nm SOI技术的动态存储芯片。据说不但能大大的改进传输速度、功耗以及保证大范围数据的稳定性，而且32nm eDRAM的存储密度比22nm的SRAM高2倍，而比32nm的SRAM要高出4倍之多。
官方透露IBM工程师将在12月份举行的International Electron Devices Meeting（国际电子设备会议）会展上详细展示和介绍32nm和22nm eDRAM的产品与相关技术。
