尔必达异军突起 顺利完成4Gb DDR3研发
2010-04-22小烈MCPLive.cn
在DRAM厂产能供给增加有限，PC市场需求又强劲的情况下。近日日本DRAM龙头厂尔必达正式宣布，已经开发出采用40nm CMOS工艺制造的4GB DRAM产品，而这也是目前全球DDR3的大容量。
这款4Gb DDR3支持x4、x8、x16 bit位宽，其中x4/x8位宽版本采用78-ball FBGA封装，x16bit产品采用96-ball FBGA封装。除DDR3标准的1.5V电压外，还可支持1.35V低压标准。
该款4GB产品将于今年6月底前试产，并将于今年Q3在广岛工厂进行量产。据悉新品和现在采用2个2GB的产品相比，可节能30%，预估将可广泛使用于伺服器或高性能PC等产品上。
