海力士量产20nm工艺的64Gb NAND闪存
2010-08-09小烈MCPLive.cn
日前，海力士正式量产64Gb NAND闪存，采用了20nm制造工艺技术的新品将在韩国Cheo ngju 的300mm M11晶圆厂完成。
据海力士透露，相对3xnm技术，其2xnm的产能将提高60%。而且还会为智能手机和固态硬盘推出更便宜和更高容量的NAND闪存。
海力士2xnm NAND的首次量产将在今年年底发售。
日前，海力士正式量产64Gb NAND闪存，采用了20nm制造工艺技术的新品将在韩国Cheo ngju 的300mm M11晶圆厂完成。
据海力士透露，相对3xnm技术，其2xnm的产能将提高60%。而且还会为智能手机和固态硬盘推出更便宜和更高容量的NAND闪存。
海力士2xnm NAND的首次量产将在今年年底发售。
