三星量产2xnm 3-bit MLC NAND闪存
2010-10-13小烈MCPLive.cn
三星日前高调宣布，首批采用20nm制造工艺的3bit、64 Gb (8GB) MLC NAND闪存芯片正式量产。据悉3bit芯片将被用于高容量的闪存和SD内存卡中，而且未来还会触及到智能手机和固态硬盘领域。三星计划将32GB 3位元闪存产能提升一倍，并增加60%以上的30nm制程产能。主要还是因为苹果公司在iOS设备（包括Apple TV等新品）中广泛使用了三星闪存，因此三星才加大产能，升级存储密度降低成本。
