一直以来,缩水、偷工减料似乎成了不少非公版显卡的代名词。这是因为一些厂商为了降低成本,不得不对一些非公版显卡作COST DOWN的设计。不过新一代DirectX 11非公版显卡在用料品质上已经有了明显的进步,出现了包括DrMOS、数字式PWM、薄膜式去耦电容、特色的电感、全钽电容或高分子聚合物电容等相当“奢华”的料件。
DrMOS之前被应用在一些高端主板上,它的主要优势在于将供电的驱动IC、MOSFET上桥和MOSFET下桥封装在一起。相比传统的分离式驱动IC、上桥MOSFET和下桥MOSFET而言,DrMOS多合一的封装方式大幅度降低了布线面积,在布线和设计上更有优势。除此之外,DrMOS的生产工艺也比较先进,相比传统的分离式设计在工作温度和大通过电流方面都有更优秀的表现。在公版显卡上首先应用DrMOS的是AMD显卡,鉴于其优秀的性能,目前不少非公版显卡也开始使用这类料件。另外一种新的MOSFET元件是Copper MOS,这种MOSFET起初也多应用在主板上,近来才开始应用在显卡上。它也是一种新的封装格式的产品,本身电气性能、散热表现都比较出色。
DrMOS和Copper MOS等新一代MOSFET成为目前相当抢眼的新用料,具备优秀的电气性能。
除了DrMOS外,薄膜式去耦电容已经基本算是高规格的非公版显卡的标准配置了。这种去耦电容的主要功能是滤除电路中的杂波,净化电流,让供电电路为GPU提供更纯净、稳定的电流供应,从而使得GPU能够运行在更高的频率上。不仅如此,这类去耦电容也有相当强大的设计优势,使用一颗薄膜式去耦电容甚至可以和之前使用十几颗传统的贴片电容以及钽电容的功效相媲美,可以大大减少生产和设计复杂程度。目前采用去耦电容的多是GeForce GTX 460/560Ti等高端型号。
去耦电容在显卡上使用后对频率和超频性能的提升很明显,已经基本成为目前非公版显卡的配置了。
其他方面,数字式PWM芯片和钽电容(或高分子电容),以前只能在公版显卡上看到,或者只有少量使用。但现在非公版显卡也开始大量使用这类元件(主要集中在高端NVIDIA显卡上),甚至部分显卡全部采用了钽电容或高分子聚合物电容。一方面是技术进步带来的成本下降,使得这些元件相对容易被厂商接受;另一方面则是厂商技术进步,能更好地驾驭这些元件。目前千元级显卡受到消费者关注和欢迎,这个区域也成为厂商展示技术、发挥实力的重点区域。更为重要的是,千元级显卡有较为充足的盈利空间,能够让厂商比较轻松地使用这些较贵的元器件。